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如何去除碳化硅中的杂质 碳化硅的四大性能优点

来源:千家信耐材 发布时间:2019-05-07 350次浏览

说到碳化硅我们很多人都会了解,毕竟碳化硅在电子产品的应用很广泛,在磨料界也是响当当的材料,但是我们在生产碳化硅的时候难免会有一些杂质混入其中,那么对于这些杂质我们该怎么去除呢?

  说到碳化硅我们很多人都会了解,毕竟碳化硅在电子产品的应用很广泛,在磨料界也是响当当的材料,但是我们在生产碳化硅的时候难免会有一些杂质混入其中,那么对于这些杂质我们该怎么去除呢?下面就让千家信耐材的小编给大家支个招吧!

碳化硅杂质去除

  去除碳化硅中杂质的方法

  其实简单的来说去除碳化硅杂质的方法有酸洗法和碱洗法,但是具体用哪一种方法来操作,我们就要根据具体情况来实施了,下面我们一起来看看!

  1、碳化硅酸洗法

  酸洗法通常是在碳化硅加热的条件下,用硫酸对其颗粒进行处理,这样做的主要就是为了去除碳化硅中的Fe2O3、金属铁、镁和铝等微量杂质。这种方法也是目前去除碳化硅中杂质干净快捷的方法。

  2、碳化硅碱洗法

  碱洗法也是在碳化硅加热的条件下,用氢氧化钠对碳化硅颗粒进行处理,主要的目的是除去表面的游离硅、SiO2等物质,这样做不仅可以提高碳化硅的含量,还能够加强碳化硅的含量。

  而在实际是生产中酸碱法也是经常被使用的方法,这也是在众多实践中得到的方法,更好的提升了碳化硅制品的生产效益,也让碳化硅的纯净度更高。

碳化硅的性能

  碳化硅的四大性能优点

  抗氧化性

  当碳化硅在空气中的温度达到1300℃时,碳化硅晶体表面就会形成一层保护层——SiO2,而随着保护层的日益剧增,可以防止内部碳化硅的氧化,这也使得碳化硅具有很好的抗氧化性能。当温度达到190万(1627℃)时,SiO2的保护层就会被破坏,碳化硅的氧化就会加剧,因此190万(1627℃)就是碳化硅被氧化的临界温度。

  电学性质

  常温下工业碳化硅是一种半导体,属于杂质导电性。高纯碳化硅的电阻率随温度的升高而降低,含杂质碳化硅的电导率随杂质而变化。碳化硅的另一个电特性是电致发光,并且已经开发了实用的器件。

 物理机械性能

 密度:碳化硅晶体密度为3.20g/mm3,碳化硅磨料的自然堆积密度为1.2-1.6g/mm3,密度的高低取决于粒度号、粒度组成和粒度形状。

  硬度:碳化硅硬度也很高,莫氏硬度为9.2,威氏显微密硬度为3000--3300kg/mm2,努普硬度为2670—2815kg/mm,众多磨料中其硬度仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。

  导电率:碳化硅的导电率很高,但是热膨胀系数却很小,抗震性能高,可以做高级耐火材料。

  高耐磨性

  由于其高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性和高温强度,被用于各种耐磨、耐腐蚀和耐高温的机械零件,是一种新型工程陶瓷材料。

  以上就是小千给大家详细介绍的碳化硅的相关内容了,我们在选择碳化硅的时候可以根据实际情况来选择,择优选择才能让产品性能更好。