详情解析如何去除碳化硅中的杂质

说到碳化硅我们很多人都会了解，毕竟碳化硅在电子产品的应用很广泛，在磨料界也是响当当的材料，但是我们在生产碳化硅的时候难免会有一些杂质混入其中，那么对于这些杂质我们该怎么去除呢?下面就让千家信耐材的小编给大家支个招吧!

去除碳化硅中杂质的方法

其实简单的来说去除碳化硅杂质的方法有酸洗法和碱洗法，但是具体用哪一种方法来操作，我们就要根据具体情况来实施了，下面我们一起来看看!

1、碳化硅酸洗法

酸洗法通常是在碳化硅加热的条件下，用硫酸对其颗粒进行处理，这样做的主要就是为了去除碳化硅中的Fe2O3、金属铁、镁和铝等微量杂质。这种方法也是目前去除碳化硅中杂质干净快捷的方法。

2、碳化硅碱洗法

碱洗法也是在碳化硅加热的条件下，用氢氧化钠对碳化硅颗粒进行处理，主要的目的是除去表面的游离硅、SiO2等物质，这样做不仅可以提高碳化硅的含量，还能够加强碳化硅的含量。

而在实际是生产中酸碱法也是经常被使用的方法，这也是在众多实践中得到的方法，更好的提升了碳化硅制品的生产效益，也让碳化硅的纯净度更高。

碳化硅的四大性能优点

抗氧化性

当碳化硅在空气中的温度达到1300℃时，碳化硅晶体表面就会形成一层保护层——SiO2,而随着保护层的日益剧增，可以防止内部碳化硅的氧化，这也使得碳化硅具有很好的抗氧化性能。当温度达到190万(1627℃)时，SiO2的保护层就会被破坏，碳化硅的氧化就会加剧，因此190万(1627℃)就是碳化硅被氧化的临界温度。

电学性质

常温下工业碳化硅是一种半导体，属于杂质导电性。高纯碳化硅的电阻率随温度的升高而降低，含杂质碳化硅的电导率随杂质而变化。碳化硅的另一个电特性是电致发光，并且已经开发了实用的器件。物理机械性能

密度：碳化硅晶体密度为3.20g/mm3，碳化硅磨料的自然堆积密度为1.2-1.6g/mm3，密度的高低取决于粒度号、粒度组成和粒度形状。

硬度：碳化硅硬度也很高，莫氏硬度为9.2，威氏显微密硬度为3000--3300kg/mm2，努普硬度为2670—2815kg/mm，众多磨料中其硬度仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。

导电率：碳化硅的导电率很高，但是热膨胀系数却很小，抗震性能高，可以做高级耐火材料。

高耐磨性

由于其高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性和高温强度，被用于各种耐磨、耐腐蚀和耐高温的机械零件，是一种新型工程陶瓷材料。

以上就是小千给大家详细介绍的碳化硅的相关内容了，我们在选择碳化硅的时候可以根据实际情况来选择，择优选择才能让产品性能更好。